Интегральные микросхемы Q Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника

Каталог | Поиск | Новости | Ссылки | Вход Язык: Интегральные микросхемы Q скачать datasheet service manual software Service Manual download datasheet schematic
» Home / Интегральные микросхемы / Q  

ql12x16b-2pl68c.pdf
ql12x16b-2pl68c.pdf
(8.42Kb)
ql12x16b-xpf100c.pdf
ql12x16b-xpf100c.pdf
(14.26Kb)
ql2003-0pf100c.pdf
ql2003-0pf100c.pdf
(11.84Kb)
qs27fct2821atq.pdf
qs27fct2821atq.pdf
(21.53Kb)
qs3125qx.pdf
qs3125qx.pdf
(29.55Kb)
qs3257q.pdf
qs3257q.pdf
(26.53Kb)
qs74qst3383q.pdf
qs74qst3383q.pdf
(31.03Kb)
qs74qst3384s0.pdf
qs74qst3384s0.pdf
(10.32Kb)
qs74qst3384so.pdf
qs74qst3384so.pdf
(18.31Kb)
Ещё в Интегральные микросхемы:
Горячие новости радиоэлектроники
Построение надежных MESH-сетей на базе трансиверов DRF7020M13x для промышленной автоматизации
Специально для построения разветвленных сетей беспроводной промышленной автоматизации с MESH-структурой мы рекомендуем использовать модули приемопередатчиков DRF7020M13N и концентраторов DRF7020M13C торговой марки DORJI. Встроенный в них сетевой MNET-протокол адаптирован для построения надежных...Подробне... далее »
 
Усилитель звуковой частоты NCP2824 компании ON Semiconductor
Компания ON Semiconductor представила усилитель звуковой частоты класса D NCP2824, обеспечивающий выходную мощность 2.4 Вт при сопротивлении нагрузки 4 Ом и напряжении питания 5 В. При том же напряжении питания усилитель способен выдать 1.2 Вт при сопротивлении нагрузки 8 Ом. Компонент поставляется в корпусе с 9 выводами, габаритные размеры 1.45 мм х 1.45 мм. Усилитель предназначен для применения в таких конечных приложениях как сотовые телефоны, портативные медиа плееры, а также устройства GPS. Источник ... далее »
 
GaN несогласованный транзистор компании RF Micro Devices
Компания RF Micro Devices, ведущий разработчик и изготовитель радиочастотных компонентов и полупроводников, представила 75 Вт нитрид галлиевый (GaN) несогласованный транзистор RF3932, имеющий высокий КПД и превосходящий по характеристикам транзисторы, выполненные по арсенид галлиевой (GaAs) и кремниевой технологии. Компонент предназначен для работы в диапазоне частот от 0 до 3 ГГц. Пиковое значение КПД составляет более 65%. На базе GaN процесса компании RFMD могут быть созданы малогабаритные и высокоэффективные усилители мощности для таких ... далее »
 
Генерация страницы: 0.009 сек Copyright © DDR'Service, 2007-2021