Интегральные микросхемы B Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника

Каталог | Поиск | Новости | Ссылки | Вход Язык: Интегральные микросхемы B скачать datasheet service manual software Service Manual download datasheet schematic
» Home / Интегральные микросхемы / B  

ba

ba

1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 
bh

bh

br

br

bx

bx

b1084t-adj_bayli.pdf
b1084t-adj bayli.pdf
(35Kb)
b34063.pdf
b34063.pdf
(478.16Kb)
bc0802a.pdf
bc0802a.pdf
(37Kb)
bc1004a.pdf
bc1004a.pdf
(38Kb)
bc1202a.pdf
bc1202a.pdf
(37Kb)
bts409l1.pdf
bts409l1.pdf
(159.62Kb)
bts432d2.pdf
bts432d2.pdf
(189.7Kb)
bts441t.pdf
bts441t.pdf
(209.22Kb)
Ещё в Интегральные микросхемы:
Горячие новости радиоэлектроники
Выносной малошумящий усилитель для улучшения чувствительности приемников GPS
Выносной малошумящий усилитель (МШУ) UPC8240T6N производства компании NEC может располагаться вблизи антенны и компенсировать потери в кабеле, тем самым улучшая шумовые характеристики приемников GPS. Усилитель выполнен на основе SiGe - технологии изготовления биполярных транзисторов. Типовое значение коэффициента усиления по мощности 38 дБ, коэффициент шума 1 дБ, потребляемый ток 6.5 мА, напряжение питания от 1.6 В. Источник ... далее »
 
Компания Linear Technology представила микросхему LTC6802
Компания Linear Technology представила LTC6802, интегральную микросхему контроля составных аккумуляторов, способную контролировать до 12-ти отдельных аккумуляторных ячеек. Оригинальная конструкция микросхемы позволяет последовательно соединить несколько LTC6802 без использования оптронов или...Подробне... далее »
 
Светодиоды инфракрасного диапазона компании OSRAM Opto Semiconductors
Светодиоды инфракрасного диапазона производства компании OSRAM Opto Semiconductors обеспечивают выходную мощность 3.5 Вт при рабочем токе 1 А. Светодиоды SFH4750 имеют длину волны излучения 850 нм и предназначены для применения в приборах с зарядовой связью и КМОП - камерах. Светодиоды SFH4751 имеют длину волны излучения 940 нм и предназначены для применения в приложениях, где видимость источника излучения должна быть устранена. Источник ... далее »
 
Генерация страницы: 0.015 сек Copyright © DDR'Service, 2007-2021