База технической документации на микросхемы flash памяти в pdf формате |
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
Горячие новости радиоэлектроники | ||||||||||||||||||
GaN усилитель с выходной мощностью20 Вт
Компания TriQuint Semiconductor представила новую монолитную интегральную схему усилителя мощности TGA2572, предназначенную для применения в военных и коммерческих телекоммуникационных системах. Усилитель выполнен на основе GaN на SiC процесса. Коэффициент усиления по мощности в малосигнальном режиме составляет 24 дБ, КПД по добавленной мощности 30%, выходная мощность насыщения 20 Вт. Усилитель предназначен для работы в Ku-диапазоне частот (14-16 ГГц). Образцы будут доступны в начале 2011 года. Источник ... далее...
TMDSHVMTRPFCKIT - набор разработчика для управления высоковольтным электродвигателем и ...
TMDSHVMTRPFCKIT – отладочный набор High Voltage Motor Control and PFC Developers Kit компании TI основан на программном обеспечении с открытыми исходными кодами для оценки возможностей микроконтроллера семейства Piccolo и аналогового и высоковольтного окружения от TI.
Микроконтроллер...Подробне... далее...
Секция диодов ESDR0544M для защиты от электростатического воздействия
Компания ON Semiconductor представила секцию диодов ESDR0544M для защиты от электростатического воздействия. Сверхнизкая емкость (типовое значение 0.9 пФ), а также низкое напряжение срабатывания делают данный компонент идеальным для защиты высокоскоростных линий передачи данных от электростатического воздействия. Конечные приложения для применения: цифровые ТВ, игровые приставки, а также персональные компьютеры. Компонент поставляется в корпусе Micro10 и не содержит свинца. Источник ... далее...
|
Генерация страницы: 0.024 сек | © DDR'Service, 2007-2024 |