Интегральные микросхемы H Hb Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника

Каталог | Поиск | Новости | Ссылки | Вход Язык: Интегральные микросхемы H Hb скачать datasheet service manual software Service Manual download datasheet schematic
» Home / Интегральные микросхемы / H / hb  

hb17400c.pdf
hb17400c.pdf
(222.57Kb)
hb17405c.pdf
hb17405c.pdf
(234.32Kb)
hb17800c.pdf
hb17800c.pdf
(205.66Kb)
hb17805c.pdf
hb17805c.pdf
(217.47Kb)
hb18160c.pdf
hb18160c.pdf
(230.34Kb)
hb18165c.pdf
hb18165c.pdf
(241.92Kb)
hb314171.pdf
hb314171.pdf
(1.31Mb)
hb314175.pdf
hb314175.pdf
(1.28Mb)
hb34100c.pdf
hb34100c.pdf
(1.13Mb)
hb34400c.pdf
hb34400c.pdf
(1.27Mb)
hb34405c.pdf
hb34405c.pdf
(1.33Mb)
hb39loki.pdf
hb39loki.pdf
(656.16Kb)
hb39s16a.pdf
hb39s16a.pdf
(937.41Kb)
hb39s16b.pdf
hb39s16b.pdf
(929.22Kb)
hb39s256.pdf
hb39s256.pdf
(130.35Kb)
hb39wava.pdf
hb39wava.pdf
(771.18Kb)
hb4100c.pdf
hb4100c.pdf
(1.13Mb)
hb4400c.pdf
hb4400c.pdf
(1.28Mb)
hb4405c.pdf
hb4405c.pdf
(1.33Mb)
hb514171.pdf
hb514171.pdf
(1.31Mb)
hb514175.pdf
hb514175.pdf
(1.27Mb)
hb64160a.pdf
hb64160a.pdf
(216.22Kb)
hb64165a.pdf
hb64165a.pdf
(284.57Kb)
hb64800a.pdf
hb64800a.pdf
(247.83Kb)
Ещё в H:
Горячие новости радиоэлектроники
Метрологические и лабораторные высокоточные резисторы
Компания Vishay Intertechnology представила линейку метрологических и лабораторных высокоточных резисторов Bulk Metal Z-Foil, выполненных на основе технологии Z1-Foil. Максимальное значение температурного коэффициента сопротивления ±0.5 ппм/°C (в диапазоне температур от +25°C до +125°C), разброс номиналов 0.005% (50 ппм), долговременная стабильность 0.005% (50 ппм) при температуре 70°C в течении 10000 часов, изменение сопротивления при действии мощности (в результате саморазогрева) составляет ± 5 ппм при мощнос... далее »
 
5 Вт DC/DC преобразователи с перекрытием входного напряжения 2:1
Компания MicroPower Direct представила 5 Вт DC/DC преобразователи серии LF500RW, предназначенные для поверхностного монтажа. Серия включает 21 модель, диапазон входных напряжений 9-18 В, 18-36 В или 36-75 В. Преобразователи могут иметь один или два выхода, выходное напряжение составляет 3.3, 5, 12, 15, ±5, ±12 или ±15 В. КПД 85%, развязка «вход-выход» 1500 В (постоянное напряжение). Все модели имеют защиту от короткого замыкания (с возможностью самовосстановления), защиту от перегрузки по выходу, а также воз... далее »
 
Нормально закрытые силовые транзисторы, выполненные по GaN технологии
Компания Efficient Power Conversion (EPC) представила семейство нормально закрытых силовых транзисторов, выполненных по GaN технологии на кремниевой подложке. Транзисторы рассчитаны на напряжение от 40 В до 200 В. Сопротивление «сток-исток» в открытом состоянии от 4 мОм до 100 мОм. Компоненты, выполненные по данной технологии, значительно превосходят по характеристикам традиционные кремниевые МОП-транзисторы. Цена за изделие между $0.80 и $5.00 в партии 1000 штук. Источник ... далее »
 
Rambler's Top100
Генерация страницы: 0.043 сек Copyright © DDR'Service, 2007-2018